• XIAN XIWUER ELECTRONIC AND INFO. CO., LTD
    Richard
    «XIWUER è molto innovatore. Hanno fornito il servizio eccellente e intuitivo, guardante avanti nel futuro quanto a cui potremmo avere bisogno.»
  • XIAN XIWUER ELECTRONIC AND INFO. CO., LTD
    Mike
    «La dedica di XIWUER a progettare le specifiche differenti per soddisfare le nostre richieste d'elaborazione rigorose è un testamento ai nostri anni di ricerca e sviluppo.»
  • XIAN XIWUER ELECTRONIC AND INFO. CO., LTD
    Sposi
    «XIWUER ha capacità impressionanti della ricerca e dimostra le buone capacità di modello e l'alta qualità del prodotto.»
Persona di contatto : Wang Hong
buon prezzo How a new generation of high-voltage doorknob capacitors is pushing the boundaries of NMR technology in linea

How a new generation of high-voltage doorknob capacitors is pushing the boundaries of NMR technology

Dissipazione: ¥0.0040
Tensione di resistenza: 1,5ur ● 1min
Resistenza all'isolamento: ≧ 1,0 × 105MΩ
buon prezzo Custom high voltage door handle capacitors for your specific MRI technology in linea

Custom high voltage door handle capacitors for your specific MRI technology

Dissipazione: ¥0.0040
Tensione di resistenza: 1,5ur ● 1min
Resistenza all'isolamento: ≧ 1,0 × 105MΩ
buon prezzo Long-term reliability of high-voltage doorknob capacitors in continuously operating spectrometers in linea

Long-term reliability of high-voltage doorknob capacitors in continuously operating spectrometers

Dissipazione: ¥0.0040
Tensione di resistenza: 1,5ur ● 1min
Resistenza all'isolamento: ≧ 1,0 × 105MΩ
buon prezzo The Power of RF Systems: The Critical Role of High-Voltage Doorknob Capacitors in NMR Probes and Power Amplifiers in linea

The Power of RF Systems: The Critical Role of High-Voltage Doorknob Capacitors in NMR Probes and Power Amplifiers

Dissipazione: ¥0.0040
Tensione di resistenza: 1,5ur ● 1min
Resistenza all'isolamento: ≧ 1,0 × 105MΩ
buon prezzo Extreme Stability, Microscopic Insight: How High-Voltage Doorknob Capacitors Become the Stabilizing Force of MRI Magnet Power in linea

Extreme Stability, Microscopic Insight: How High-Voltage Doorknob Capacitors Become the Stabilizing Force of MRI Magnet Power

Dissipazione: ¥0.0040
Tensione di resistenza: 1,5ur ● 1min
Resistenza all'isolamento: ≧ 1,0 × 105MΩ
buon prezzo Beyond BOM Cost: The Lifecycle Value of High-Voltage Doorknob Capacitors in Synchrotron Radiation Sources in linea

Beyond BOM Cost: The Lifecycle Value of High-Voltage Doorknob Capacitors in Synchrotron Radiation Sources

Dissipazione: ¥0.0040
Tensione di resistenza: 1,5ur ● 1min
Resistenza all'isolamento: ≧ 1,0 × 105MΩ
buon prezzo Non-standard options: Provide customized high-voltage capacitor solutions for your synchrotron radiation light source project in linea

Non-standard options: Provide customized high-voltage capacitor solutions for your synchrotron radiation light source project

Dissipazione: ¥0.0040
Tensione di resistenza: 1,5ur ● 1min
Resistenza all'isolamento: ≧ 1,0 × 105MΩ
buon prezzo High-voltage Doorknob Capacitors: A Promise Of Reliability In The Long-term Operation Of Synchrotron Radiation Sources in linea

High-voltage Doorknob Capacitors: A Promise Of Reliability In The Long-term Operation Of Synchrotron Radiation Sources

Dissipazione: ¥0.0040
Tensione di resistenza: 1,5ur ● 1min
Resistenza all'isolamento: ≧ 1,0 × 105MΩ
buon prezzo Precise Injection And Stable Circulation: The Key Role Of High-voltage Doorknob Capacitors In The Pulsed Magnet Power Supply Of Synchrotron Radiation Light Sources in linea

Precise Injection And Stable Circulation: The Key Role Of High-voltage Doorknob Capacitors In The Pulsed Magnet Power Supply Of Synchrotron Radiation Light Sources

Dissipazione: ¥0.0040
Tensione di resistenza: 1,5ur ● 1min
Resistenza all'isolamento: ≧ 1,0 × 105MΩ
buon prezzo High Voltage Ceramic Doorknob Capacitor for Precise Signal and Clear Communication in Power Line Carrier Systems in linea

High Voltage Ceramic Doorknob Capacitor for Precise Signal and Clear Communication in Power Line Carrier Systems

Dissipazione: ¥0.0040
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Resistenza all'isolamento: ≧ 1,0 × 105MΩ
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